光耦的主要性能特点!

　　光耦即电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它由发光二极管和光敏三极管组合，发光二极管把输入的电信号变换成相同规律变化的光，而光敏三极管是把光又重新变换成变化规律相同的电信号。

　　光耦即电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它由发光二极管和光敏三极管组合，发光二极管把输入的电信号变换成相同规律变化的光，而光敏三极管是把光又重新变换成变化规律相同的电信号。

　　一、光耦的主要性能特点

　　（1）隔离性能好，输入端与输出端完全实现了电隔离，其绝缘电阻很高，绝缘耐压在低压时都可满足使用要求，高耐压有的能超过1kV，有的甚至可达10kV以上。

　　（2）光信号单向传输，输出信号对输入端无反馈，可有效阻断电路或系统之间的电联系，但并不切断它们之间的信号传递。

　　（3）光信号不受电磁干扰，这是因为光耦的输入阻抗比一般干扰源的阻抗小，因此分压在光耦输入端的干扰电压也就小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光。由于光耦的外壳是密封的，所以它不受外部光的影响。此外，光耦的隔离电阻很大、隔离电容很小（只有几皮法）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　（4）抗共模干扰能力强，能很好地抑制干扰并消除噪音，工作稳定可靠。

　　（5）光发射和光敏器件的光谱匹配理想，响应速度快，传输效率高。容易与逻辑电路连接。

　　（6）：无触点、寿命长、体积小、耐冲击，工作温度范围宽，符合工业和民用温度标准。

　　在家用电器中，广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、脉冲放大、固态继电器（SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

　　光耦的技术参数可分为输入部分、输出部分、传输特性、隔离特性等几大音部分，主要有红外二极管的正向压降VF、正向电流IF、功率耗散PD、光敏三极管c、e反向击穿电压VCEO、c、e极饱和压降Vm、功率耗散PDo电流传输比（CTR）是光耦的重要参数，与晶体管的hFE有某种相似之处。VISO是光耦的另一个重要特性，在输入和输出间提供电隔离。光耦的这两大主要参数CTR和VISO通过结构设计与制作技术来体现。尽可能提高CTR值动态范围和VISO。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。限于篇幅，这里只对光耦的重要参数电流传输比（CTR）作介绍。

　　CTR通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时：它等于直流输出电流与直流输入电流的百分比。例如，采用一只光敏三极管的光耦，CTR的范围多为20％～300％（如4N35），而PC817则为80％～160％，达林顿型光耦（如4N30）可达100％～5000％。表明要获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。