光控继电器控制电路!-先进光半导体

　　PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列，如通用型的GU型、高频型的RF型.

　　此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等.

　　FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件，因此利用光电二极管阵列(P.D.A)所供给的电压使栅极容量充电，致使栅极电压上升至接通电压（阈值），从而使MOSFET输出光电耦合器动作。

　　然而，要使MOSFET输出光电耦合器复位，则需要做与上述动作相反的工作，即让栅极内充电的电荷尽量快速地放电。在图1所示的电路中，由于复位时间过长，故不能作为MOSFET输出光电耦合器使用。PhotoMOS利用图2所示的内置于光电元件的控制电路来解决这些问题。该控制电路为实现动作时间与复位时间保持平衡的良好的转换特性，以及输入LED电流的良好的灵敏度特性发挥着最关键的作用.

　　光电元件内的控制电路示例

　　关于光电元件内部所内置的控制电路，如图所示，迄今为止提出了以下若干种电路。下面将简单地介绍这些电路.

　　图3的控制电路

　　图3的电路图是最基本的电路，我们为了加快断开时间，使输出MOS的栅极电荷在断开时放电，因此在栅极・源极之间连接固定电阻.但是，在接通电路时，为了使输出MOS的栅极容量得到充电，使用了光电二极管阵列(P.D.A)，其产生的光电流在通过该电阻时会发生漏电，从而导致接通时间变长.

　　另外，还存在以下缺点：如图6所示，相对于输入电流的变化，输出电流也平缓地发生变化，因此转换元件所要求的速动性会变差，另外因温度变化所引起的特性变动也较大。

　　作为放电电路，该电路使用常闭型元件，因此断开时输出MOS的电荷会急速放电。另外接通时，该元件被第二光电二极管阵列(P.D.A)偏压，形成开路状态，从而使第一光电二极管阵列(P.D.A)所产生的光电流被高效快速地传导至输出MOS的栅极，因此与(a)的电路相比，接通时间就变短了。

　　另外，利用该常闭型元件还可大幅度地改善速动性。但与此同时该控制电路必须具备二个光电二极管阵列.

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

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