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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

继电器光耦和硅基电流隔离技术!

发表时间:2022-11-11 15:21作者:光耦选型工程师

  电流隔离是保护所有与人体或其他电路接口的电子设备免受可能从数十伏到千伏的高压事件的必要保护形式。隔离作为一种保护形式,要求两个电路之间的通信通过绝缘或隔离栅进行,从而防止电流在电路之间直接流动。


  在过去的几十年里,用于隔离电路的技术已经从基于光学的转向基于硅的-但这些技术到底有什么不同呢?


  光耦合器如何工作?

带引脚排列图的光耦合器

  如图1所示,光耦合器由输入LED、接收光电探测器和输出驱动器组成。驱动器电路和LED电路通常使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术构建,绝缘或隔离栅通常由模塑料组成。光耦合器隔离器的输入和输出都需要通过阳极和集电极引脚连接的单独电压电源,以及通常连接在阴极和发射极引脚上的单独接地,以保持输入和输出之间的信号隔离。


  当施加的CMOS逻辑输入产生输入侧电流时,光耦合器内就会发生通信,然后产生成比例的LED输出,用于通过模塑性屏障传输到接收光电探测器和输出。


  光耦合器的隔离性能由LED、输入和输出之间使用的模塑料以及通过模塑料的距离的组合决定。由于模塑料是隔离栅强度的关键因素,因此其质量在光耦合器的使用寿命、可靠性和性能中起着重要作用。


  包括美国保险商实验室(UL)和电子技术协会(VDE)在内的标准机构确定了光耦合器评级,这些评级专门定义了“通过绝缘的距离”,以适应制造过程中的模塑料变化,以及局部放电测试,以识别在压力下可能影响隔离性能的模塑料缺陷。光耦合器标准历来不包括寿命可靠性性能数据或持续施加的高压高压应力测试,因此其持续的长期性能和可靠性可能会有很大差异。

数字隔离器结构的横截面

  硅基隔离器如何工作?


  硅基隔离技术基于CMOS技术,由两个独立的集成电路(IC)芯片组成——一个输入电路和一个输出电路——通过键合线连接以实现数据传输,如图2所示。


  如图3所示,数字隔离器的输入和输出侧都需要单独的电压电源(VCC1、VCC2)和单独的接地(GND1、GND2),以保持输入和输出之间的信号隔离。


  当将晶体管-晶体管逻辑或CMOS逻辑输入施加到数字输入时,数字隔离器内会发生通信。输入信号以数字方式转换到频域中,然后通过高压电容势垒,穿过连接的键合线到达接收侧IC。


  数字隔离器电路的绝缘体可以是单二氧化硅(SiO2)电容势垒,通过设计可以承受极高的电压。由于绝缘栅由高介电强度材料(见表1)构成,并且是在严格控制的晶圆厂而不是装配线上制造的,因此不太可能发生零件之间的差异,并且隔离性能的关键因素是隔离技术和设计。白皮书“实现高压信号隔离质量和可靠性”探讨了该制造工艺如何在单个封装中提供可靠性、防震保护和增强隔离,相当于两级基本隔离。


  硅基数字隔离器的隔离额定值由一系列高压测试确定,这些测试通过行业标准机构(如UL、国际电工委员会和VDE)定义。这些测试与用于确定光耦合器额定值的测试相同,如表2所示,但具有额外的高压测试和材料额定值要求。由于高压鲁棒性和可靠性的额外测试条件,可以发布寿命可靠性数据。

带引脚排列图的数字隔离器

  您现在应该对光学隔离和硅基隔离性能之间的差异以及材料,制造甚至标准测试的作用有所了解。虽然光耦合器和硅基隔离器都是经过验证的电路保护手段,但为您的设计确定最佳隔离解决方案的真正挑战将取决于您的设计目标:隔离器的可靠性、使用寿命和性能都在正确的技术选择中发挥作用。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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