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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

栅极驱动光耦合器基本设计,适用于IGBT/MOSFET!-先进光半导体

发表时间:2022-11-07 12:04作者:光耦选型工程师

  适用于所有栅极驱动光耦合器


  本应用笔记介绍了计算栅极驱动器功率和栅极驱动光耦合器IC的散热的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路中的功耗或损耗、发送到功率半导体开关(IGBT/MOSFET)的功率以及驱动器IC和功率半导体开关之间的外部组件(例如通过外部栅极电阻器)的功率损耗。在下面的示例中,我们将讨论使用安华高ACPL-332J(2.5nA峰值智能栅极驱动器)的IGBT栅极驱动器设计。本设计指南也适用于MOSFET栅极驱动器。


  GBT/MOSFET栅极电阻器


  在选择RG值时,重要的是从栅极驱动器IC和功率半导体开关MOSFET/IGBT的角度看。对于栅极驱动器IC,我们选择在IC最大允许功率耗散额定值内的RG,同时提供/吸收尽可能高的驱动器电流。从IGBT或MOSFET的角度来看,栅极电阻会影响导通和关断期间的电压变化dVCE/dt和电流变化diC/dt。


  因此,当设计人员选择IGBT或MOSFET时,选择合适的栅极驱动器光耦合器也很重要,因为该驱动器的电流和额定功率决定了IGBT或MOSFET的开启或关闭速度。

1.jpg

  栅极驱动功率在IC最大允许功率额定值内工作


  栅极驱动光耦合器的功耗是IGBT/MOSFET的输出侧功率(红色圆圈)和输入侧功率(蓝色圆圈)的组合。用于故障反馈的第二个LED的功耗被忽略不计,因为驱动集电极开路晶体管的电流很小。


  计算步骤为:


  1.根据最大峰值栅极电流


  计算所需的最小RG 2.计算总功耗


  3.将步骤#2中计算的输入和输出功耗与IC的最大推荐功耗进行比较。(如果已超过建议的最大电平,则可能需要提高RG的值以降低开关功率并重复步骤#2。


  在本例中,ACPL-332J的总输入和输出功耗是在以下条件下计算的:

2.jpg

  方程集1


  步骤I:根据IOL峰值指定计算RG最小值:为了确定峰值充电lOL,假设栅极最初充电至稳态值VCC。对于ACPL-332J,在70C时,2.5 A输出的压降线性近似为4.5 V(图3:VOL与IOL)。因此,应用以下关系:

3.jpg

  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


  以上就是本文的全部内容,如果觉得本文对您有所帮助,请持续关注本司网站https://www.a-semi.com以及“先进光半导体”微信公众号,我们将给您带来更多新闻资讯和知识科普!


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