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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

光耦合器电路说明!-先进光半导体

发表时间:2022-11-02 11:37作者:光耦选型工程师

  光耦合器器件最重要的参数之一是其光耦合效率,为了最大化该参数,LED和光电晶体管(通常在红外范围内工作)在光谱上始终紧密匹配。


  指定光耦合效率的最便捷方法是引用器件的输出-输入电流传输比(CTR),即输出集电极电流之比(IC)的光电晶体管,以正向电流(IF)的指示灯。因此,点击率=IC/我F.在实践中,点击率可以表示为一个简单的数字,例如0.5,或者(通过将此数字乘以100)表示为百分比数字,例如50%。


  具有单晶体管输出级的简单隔离光耦合器的典型CTR值范围为20%至100%;实际CTR值(除其他外)取决于器件的输入和输出电流值以及电源电压值(VC)的光电晶体管。显示了在不同V下获得的三组典型输出/输入电流C值。


  应该注意的是,由于LED辐射效率和光电晶体管电流增益的变化,单个光耦合器的实际CTR值可能与典型值有很大差异。例如,典型CTR值为60%的光耦合器类型实际上在单个器件中的真实值可能在30%至90%之间。

1.png

  其他重要的光耦合器参数包括:


  隔离电压。这是输入和输出电路之间允许存在的最大允许直流电位。典型值在500V至4kV范围内变化。


  V中欧(最大)。这是可以在输出晶体管上施加的最大允许直流电压。典型值在20V至80V范围内变化。


  我F(最大)。这是允许在输入LED中流动的最大允许直流电流。典型值在40mA至100mA范围内变化。


  带宽。这是器件在正常模式下工作时可以通过光耦合器的典型最大信号频率。典型值在20kHz至500kHz之间变化,具体取决于器件结构的类型。


  光耦合器LED的输入电流必须通过串联的外部电阻进行限制,如10所示,该电阻可以连接在LED的阳极或阴极侧。如果LED由交流电源驱动,或者有可能在LED上施加反向电压,则必须通过如11所示连接的外部二极管保护LED免受反向电压的影响。

2.png

  光电晶体管的工作电流可以通过与器件集电极串联的外部电阻器转换为电压。该电阻可以连接到光电晶体管的集电极或发射极,如12所示。该电阻的值越大,电路的灵敏度越大,但其带宽越低。


  在正常使用中,光电晶体管与其基极开路一起使用。但是,如果需要,可以使用基极端子将光电晶体管转换为光电二极管,如所示,并忽略发射极端子(或将其短路到基极)。这种连接导致带宽大大增加(通常为30MHz),但CTR值大大降低(通常为0.2%)。


  或者,基极端子可用于通过在基极和发射极之间连接一个外部电阻(RV1)来改变光耦合器的CTR值,如图(b)的达林顿示例所示。对于RV1开路,CTR值是普通达林顿光耦合器的CTR值(通常最小值为300%);当RV1短路时,CTR值是二极管连接的光电晶体管的CTR值(通常约为0.2%)。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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