继电器光耦的结构及性能检测方法！-先进光半导体

　　光电耦合器是以光为媒介，用来传输电信号的器件。通常是把发光器与受光器(光电半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光照之后就产生光电流，从输出端引出，从而实现了电—光—电的转换。

　　由于光电耦合器具有抗干扰能力强、使用寿命长、传输效率高等特点，广泛用于电气隔离、电平转换、级间耦合、开关电路、脉冲放大、固态继电器、仪器仪表和微型计算机接口电路中。

　　结构及其工作过程

　　光电耦合器是由一只发光二极管和一只受光控制的光敏晶体管(常见为光敏三极管)组成的，常见的光电耦合器外形有管式、双列直插式等，与集成电路相似，应用较多的是双列直插式。其内部电路结构和电气图形符号如图所示。

　　光电耦合器的工作过程如下：光敏三极管的导通与截止，是由发光二极管所加正向电压控制的。当发光二极管加上正向电压时，发光二极管因有电流通过而发光，使光敏三极管内阻减少而导通;反之，当发光二极管不加正向电压或所加正向电压很小时，发光二极管中无电流通过或通过电流很小，发光强度减弱，光敏三极管的内阻增大而截止。

　　光电耦合器的种类很多，主要有通用型(又分有基极引线、无基极引线两种)、达林顿型、施密特型、高速型、光纤型、光敏晶闸管型(又分单向晶闸管、双向晶闸管)、光敏场效应管型等。

　　性能检测

　　(1)静态检测

　　由于光电耦合器中的发射管与接收管是互相独立的，因此可用万用表单独检测这两部分的好坏。检测可分三步进行。

　　第一步：利用R×100(或R×1k)挡测量光发射二极管的正、反向电阻，检测其单向导电性。发光二极管具有一般二极管的单向导电的特性，即正向电阻小，反向电阻大。通常正向电阻为几百欧，反向电阻为几千欧或几十千欧。如果检测结果正、反向电阻非常接近，表明发光二极管性能欠佳或已损坏。检测时，要注意只能使用万用表的R×10、R×100或R×1k挡，不能使用R×10k挡，因为发光二极管工作电压一般在1.5～2.3V，万用表R×10k挡电池电压为9～15V，会导致发光二极管击穿。

　　第二步：检测光接收管的集电结与发射结的正、反向电阻。将万用表量程开关拨在10×1k挡，黑表笔接c极，红表笔接e极，指针应微动;对调两表笔再测，指针应不动。也就是说，无论正、反向测量其阻值均应为无穷大，否则光敏三极管损坏。

　　第三步：用R×10k挡检测光发射管与光接收管之间的绝缘电阻。用万用表的R×10k挡检测其初、次级之间的绝缘电阻值，应测量两次(即两表笔对调一次)。光电隔离器初、次级绝缘电阻应为∞。上述发光二极管或光敏三极管只要有一个损坏，或者它们之间绝缘不良，则该只光电耦合器不能正常使用。

　　(2)性能测量

　　检测电路如图2所示，光电耦合器的发光二极管两输入端接入两节1.5V的电池，二极管正端接电池正极，负端接电池负极，R为限流电阻。用万用表R×1挡测光敏三极管正向电阻值，应为10～30Ω，反向电阻值为∞，说明光电耦合器性能良好。若所测数值远离上述值，则表明耦合器性能欠佳或损坏。

　　运用上述方法检测不同型号的光电耦合器时因其引脚不同，发光二极管工作电压的接法也应有所不同。所以在检测时，应先根据其内部电路找出其输入与输出端的引脚，然后根据其发光二极管工作电压并串入相应的限流电阻R后，再测光敏三极管c、e极之间的正、反向电阻。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

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