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APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
  • ------IPM驱动光耦
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    ------光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    双向可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    隔离放大器光耦
    MOSFET光耦
    光纤耦合器

继电器光耦可满足不同的应用场景!-先进光半导体

发表时间:2022-09-13 11:13作者:光耦选型工程师

  继电器光耦是一类广泛的器件,用于隔离具有不同接地电位的两个电路。光耦合器通常用于输入信号与处理器之间或处理器与输出负载之间的隔离,有利于消除阻抗不匹配、改善输入和输出之间的隔离并降低噪声。


  目前有各种各样的光耦合器,包括带有晶体管、晶闸管或可控硅输出的通用器件,以及IC类型的光耦合器、光继电器和光伏耦合器。最近的趋势满足了工程师的需求,他们必须平衡对更小封装的相互冲突的需求和对更高功率输出、更高速度开关和/或更低电源电流的各种要求。


  要考虑的关键参数


  电气和结构参数是将特定光电耦合器与您的应用相匹配的主要考虑因素。此处注明了适用于所有类别的主要标准。稍后将更详细地讨论特定类别的其他电气选择标准:


  隔离电压(BV)。爬电距离.输入引脚和输出引脚之间沿绝缘体(封装)的最小距离。两根导体之间的最小绝缘厚度。隔离间隙。输入引脚和输出引脚之间的最小距离。包类型。隔离参数与封装密切相关,通常封装越小,绝缘厚度和隔离间隙越低。东芝的产品阵容包括单板、中外保、外商独斗和DIP封装。通道数。输出类型。下一个需要考虑的主要因素是您的应用所需的输出,例如晶体管、晶闸管、可控硅、IC、光伏或MOSFET(光继电器)。

光电耦合器输出类型的六种变体可处理大多数应用

  输出类别和应用


  晶体管输出。带晶体管输出的光电耦合器用于信号传输或可编程逻辑控制器、逆变器、电源、电器和调制解调器中的开关。主要选择标准是集电极-发射极电压VCE集电极和发射极之间的其他额定电压;电流传输比IC/IF、低输入型、达林顿晶体管输出高电流增益、通道数和封装型。


  可控硅输出。三端双向可控硅光电耦合器可以在两个方向上传导电流,可用于控制交流负载。典型应用包括固态继电器和办公自动化设备,以及电器、电机和照明。可控硅类型的主要选择标准是触发LED电流IFT,这是将器件更改为导通状态(典型值为5至10mA)、峰值导通电压VTM、峰值关闭状态电压(VDRM)(通常为400或600V)以及过零或非过零所需的最小输入电流。三端双向可控硅器件的最新发展主要集中在封装尺寸减小和新型LED上,以实现更低的触发电流。


  晶闸管输出。带晶闸管输出的光电耦合器通常用作栅极电路,其行为与可控硅耦合器类似,但方向不同。一个例子是反馈环路(如电源)中的误差放大和过压保护。主要选择标准与可控硅耦合器相同。


  芯片输出。IC光电耦合器适用于需要在输出侧使用更高级功能的应用。光耦合器的许多最新进展都属于这一类,这是由高速数字传输要求驱动的。它们通常可分为三个子类别:高速、IGBT/MOSFET驱动器和IPM驱动器。


  高速。光电耦合器具有输出IC,使其能够在驱动等离子显示面板、工厂自动化设备和开关电源等应用中传输数据信号。主要的选择标准包括开关速度和阈值输入电流IFHL/IFHL,这是触发输出变化所需的最小输入电流。


  IGBT驱动器的发展包括小型化、更高的输出电流、更高的开关速度和更低的功耗。


  计算机辅助功能检查驱动程序。IPM驱动器在功能上与IGBT/MOSFET驱动器相媲美,面向智能功率模块,具有较低的输出电流和类似的高开关速度。主要选择标准包括数据速率以及与前面提到的高速IC耦合器共享的其他规格。IPM驱动器的最新进展包括更高的电源电压和更高的开关速度。


  光继电器。也称为MOSFET耦合器,光继电器执行开关功能。应用包括调制解调器中的开关、自动测试设备、机顶盒、可编程逻辑控制器和逆变器。主要选择标准包括,触发LED电流IFT,最小输入电流IF,导通电阻,电容,C关闭,关闭状态电压V关闭。它们采用1-Form-A(常开);1-形式-B(通常关闭)版本。光继电器的最新发展主要集中在光电探测器的小型化以及MOSFET和光电探测器集成到单个芯片中。另一个趋势是测试设备的CxR值较低,值接近1pF。


  光伏/光电二极管阵列。PDA可以在没有外部电源的情况下驱动功率MOSFET,通常在开关要求超过普通光继电器的要求时使用。主要选择标准包括短路电流ISC和开路电压VOC。

逆变器和伺服框图显示了一种应用中使用的各种类型的光耦合器

  逆变器和伺服电机的框图显示了典型电路中具有代表性适用部件号的三种不同类型的光电耦合器。光继电器(显示在序列块的左下角)用于隔离切换。晶体管光电耦合器用于反馈环路中的过电流检测,IGBT或IPM驱动器耦合器可用于驱动功率模块。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。


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